2025年NAND行業(yè)市場規(guī)模及主要企業(yè)市占率分析報告

過去NAND從結(jié)構(gòu)上可分為2D、3D兩大類，隨著 3D NAND 芯片的堆疊層數(shù)不斷增高，逐步向更多層及更先進工藝發(fā)展，堆疊過程中刻蝕及薄膜沉積使用步驟數(shù)大幅提升，2024 年 SK 海力士官方公布正式開始量產(chǎn)全球首款 321 層 NAND，2025 年NAND 層數(shù)有望達(dá) 4xx 層，薄膜沉積及刻蝕設(shè)備重要性凸顯。