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絕緣柵雙極晶體管

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2025年中國(guó)絕緣柵雙極晶體管行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈圖譜、發(fā)展歷程、發(fā)展現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局、重點(diǎn)企業(yè)以及發(fā)展趨勢(shì)研判:隨著下游領(lǐng)域快速發(fā)展,IGBT需求量將持續(xù)增長(zhǎng) [圖]

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。它將MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT的優(yōu)點(diǎn)集于一身,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。

智研觀點(diǎn) 2025-02-03

絕緣柵雙極晶體管-產(chǎn)業(yè)百科

近年來(lái),隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)需求的激增,我國(guó)IGBT產(chǎn)量呈現(xiàn)迅猛增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。2022年中國(guó)IGBT產(chǎn)量達(dá)3058萬(wàn)只,同比增長(zhǎng)18.53%。

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